太陽能板單晶和多晶的區(qū)別
發(fā)布時間：2021-10-15 16:46:22 點擊量：721(次)
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太陽能板選擇單晶好還是多晶好呢？單晶和多晶有什么區(qū)別呢？今天跟隨太陽能板廠家來看看吧！
單晶(monocrystal, monocrystalline, single crystal)，即結晶體內(nèi)部的微粒在三維空間呈有規(guī)則地、周期性地擺放，或者說晶體的全體在三維方向上由同一空間格子構成，整個晶體中質(zhì)點在空間的擺放為長程有序。單晶整個晶格是接連的，具有重要的工業(yè)使用。因為熵效應導致了固體微觀結構的不抱負，例如雜質(zhì)，不均勻應變和晶體缺陷，有一定大小的抱負單晶在自然界中是極為罕見的，而且也很難在實驗室中生產(chǎn)。另一方面，在自然界中，不抱負的單晶可以十分巨大，例如已知一些礦物，如綠寶石，石膏，長石構成的晶體可達數(shù)米。
單晶成長制備辦法大致可以分為氣相成長、溶液成長、水熱成長、熔鹽法、熔體法。最常見的技能有提拉法、坩堝下降法、區(qū)熔法、定向凝固法等;
多晶是眾多取向晶粒的單晶的集合。多晶與單晶內(nèi)部均以點陣式的周期性結構為其根底，對同一品種晶體來說，兩者本質(zhì)相同。兩者不同處在于單晶是各向異性的，多晶則是各向同性的。在攝取多晶衍射圖或進行衍射計數(shù)時，多晶樣亦有其特色。
多晶體中當晶粒粒度較小時，晶粒難于直觀呈現(xiàn)晶面、晶棱等形象，樣品清晰度差，呈散射光。這種場合的多晶亦常稱作粉晶(powder crystal)。
多晶硅的生產(chǎn)工藝首要由高純石英(經(jīng)高溫焦碳復原)→工業(yè)硅(酸洗)→硅粉(加HCL)→SiHCL3(經(jīng)過粗餾精餾)→高純SiHCL3(和H2反應CVD工藝)→高純多晶硅。
單晶硅和多晶硅的差異是，當熔融的單質(zhì)硅凝固時,硅原子以金剛石晶格擺放成許多晶核，假如這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則構成單晶硅。假如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，則構成多晶硅。多晶硅與單晶硅的差異首要表現(xiàn)在物理性質(zhì)方面。例如在力學性質(zhì)、電學性質(zhì)等方面，多晶硅均不如單晶硅。多晶硅可作為拉制單晶硅的質(zhì)料。單晶硅可算得上是世界上最純潔的物質(zhì)了，一般的半導體器材要求硅的純度六個9以上。大規(guī)模集成電路的要求更高，硅的純度必須達到九個9?，F(xiàn)在，人們已經(jīng)能制作出純度為十二個9的單晶硅。單晶硅是電子計算機、自動控制系統(tǒng)等現(xiàn)代科學技能中不行短少的根本資料。
